垂直腔表面发射激光器极化噪声的建模与分析论文复现

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🔥 内容介绍

以往的研究提供了垂直腔表面发射激光的数学模型,该模型评估了自发噪声对激光性能的影响,但完全忽视了极化噪声的影响。结果还显示了RIN在频率上的变化.本文提出了一种分析自发噪声和极化噪声对VCSEL输出功率影响的模型。在光子速率方程中增加反馈,包括自发噪声。极化噪声在自稳定和增益回收系数的帮助下,被纳入动力学。研究了连续波和正弦调制下VCSEL输出功率的特性。模拟VCSEL动力学的案例有和无噪音,首先没有噪音,然后受噪音的影响.输出光的功率曲线描述了VCSEL中自发噪声和极化噪声的影响。对于高频调制,输出在整个模拟时间都有波动,但噪声放大了这些波动,影响了激光器的性能。对于连续调制,输出光显示指数行为相对于偏置。

📣 部分代码

function c2=carrier22(t, bias,c2,p1,p2)q = 1.6e-10; %1.6e-19; %electron charge in A/nsvg = 8.36e4; %8.36e9; %group velocityd = 24; %24e-9; %thickness of active layer in cml = 1000; %1e-6; %length of cavity in VCSEL cm ao = 3.5e-2; %3.5e-16; %differential gain in cm2beta = 1; %1; %spontaneous emission ratentr = 1.33e-3; %1.33e18; %transparency carrier densitynsp = 2; %2; %inversion factorgamma_1 = 0.63; %0.75; %confinement factor for mode 1gamma_2 = 0.35 ; %0.35; %confinement factor for mode 2ks = 8.6e-7; %8.6e-7; %gain compression coefficientr1 = 4000; %4e-6; %radius of mode 1r2 = 7500; %7.5e-6; %radius of mode 2alpha = 1e-6; %1000; %material loss of the active layerrf = 0.9991; %0.9991; %reflectivity of the front fecerb = 0.9998; %0.9998; %reflectivity of the back facetaup1 = 2; %2e-12; %photon lifetime of mode 1taup2 = 1.88; %1.88e-12; %photon lifetime of mode 2taue = 3000; %3e-9; %carrier lifetimeeps11 =2e-7; %self-gain saturation coefficient mode 1eps22 =2e-7; %self-gain saturation coefficient mode 2eps12 =0.5e-7; %cross- gain saturation coefficient mode 1eps21 =0.5e-7; %cross- gain saturation coefficient mode 2

v1=pi*(r1^2)*d;v2=pi*(r2^2)*d;
% g1l=(vg*(d/l)*ao*(c1-ntr)); % modal gaing2l=(vg*(d/l)*ao*(c2-ntr)); % modal gain
% g1=((vg*(d/l)*ao*(c1-ntr))*(1-ks*(gamma_1*p1+gamma_2*p2))); %linear modal gaing2=((vg*(d/l)*ao*(c2-ntr))*(1-(p2*eps22)-(eps21*p1))*(1-ks*((p1*(1-gamma_1))+(p2*(1-gamma_2))))); %linear modal gain
c2=(bias/(v2*q)) - (c2/taue) - (((1-gamma_1)*p1 + (1-gamma_2)*p2)*(g2/v2));end

⛳️ 运行结果

🔗 参考文献

Singh, A., Sharma, M., Kumar, R. et al. Modelling and analysis of polarization noise in vertical cavity surface emitting LASERs. Multiscale and Multidiscip. Model. Exp. and Des. 2, 151–157 (2019). https://doi.org/10.1007/s41939-018-0033-9

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